Bis 2023 soll der weltweite Markt für Halbleiterlaser 8,8 Milliarden US-Dollar überschreiten

Sep 08, 2023 Eine Nachricht hinterlassen

Es wird erwartet, dass die Bewertung im Jahr 2023 15,7 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Der Markt wird von 2023 bis 2033 mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 5,9 Prozent wachsen.

Aufgrund der weiten Verbreitung von Unterhaltungselektronikprodukten wie Smartphones, Tablets, Laptops und Gaming-Systemen steigt die Nachfrage nach Halbleiterlasern stetig. Dieser Lasertyp wird in verschiedenen technischen Bereichen eingesetzt, darunter optische Datenspeicherung, Gestenerkennung, 3D-Erkennung und Displays. Angesichts der kontinuierlichen Verbesserung von Verbrauchergeräten wird erwartet, dass die Halbleiterlasertechnologie eine entscheidende Rolle bei der Förderung neuer Merkmale und Funktionen spielen wird.

Hinsichtlich der Energieeffizienz sind Halbleiterlaser effektiver als herkömmliche Lichtquellen. Neben einer längeren Lebensdauer und einer geringeren Wärmeentwicklung verbraucht es auch weniger Strom. Angesichts der zunehmenden Bedeutung von Energieeffizienz- und Umweltproblemen steigt der Wert von Halbleiterlasern im Vergleich zu herkömmlichen Lichtquellen, was das Marktwachstum vorangetrieben hat.

Aufgrund der kontinuierlichen Entwicklung von Miniaturisierungs- und Integrationstendenzen in verschiedenen Bereichen besteht ein hoher Bedarf an kleineren, kompakteren und effektiveren Halbleiterlasern. Dieser Lasertyp eignet sich für Anwendungen mit begrenztem Platzangebot und kann in kleine Systeme und Geräte wie tragbare elektronische Produkte, Mobiltelefone und tragbare elektronische Produkte integriert werden. Im Wesentlichen kann die steigende Nachfrage nach Produkten der Unterhaltungselektronik das Marktwachstum fördern.

Dank der rasanten Weiterentwicklung der Materialtechnologie, insbesondere bei Halbleitermaterialien und epitaktischen Wachstumsmethoden, haben wir jetzt Zugang zu neuen Lasertypen mit noch besseren Leistungsfähigkeiten. Beispielsweise können Hochleistungshalbleiterlaser, die bei mehreren Wellenlängen arbeiten, durch die Verwendung von Verbindungshalbleitermaterialien wie Galliumarsenid (GaAs) und Indiumphosphid (InP) entwickelt werden. Es wird erwartet, dass der Fortschritt dieser Materialtechnologie das Marktwachstum im Prognosezeitraum fördern wird.